台積電3nm延期，或明年初才能用上

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台積電3nm延期，或明年初才能用上，台積電的N3製程節點方案未能順利推進，已不斷進行修正，但良品率等整體效能的提升進度仍低於預期，台積電3nm延期，或明年初才能用上。

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近日，台積電總裁魏哲家在月前的法説會上透露，3NM支撐進展符合預期，將於今年下半年量產。不過，根據DigiTimes最新消息，半導體設備廠商稱，台積電3NM良率爬坡遇到較大的阻力，為此還多次修正3NM藍圖。

該半導體設備廠商還補充道，台積電已經將3NM工藝劃分出N3、N3E與N3B等多個版本，以符合不同客户的需求。目前來看，蘋果、英特爾等大廠已經預定了大部分的3NM產能，現在台積電良率爬坡遇阻，不知道我們有沒有機會如期看到各家大廠的最新產品。

相比於5NM，3NM製程的晶體管密度提升70%、性能提升15%、功耗降低30%，採用該製程的芯片無論是功耗還是性能表現，都會比5NM芯片有不小的提升，尤其是智能手機，內部空間有限，散熱效果不能跟平板、PC等產品相比，所以對芯片製程的要求也就更高。

近兩年，台積電的製程工藝總會優於三星，尤其是競爭異常激烈的7NM、5NM節點，前者生產的芯片基本都沒有出現過翻車的跡象，而基於三星的5NM製程打造的驍龍、獵户座芯片，體驗似乎都不太理想。

在3NM這個節點，三星用上了GAAFET環繞柵極場效應晶體管技術，理論上晶體管密度更高、功耗更低，而台積電的3NM很可能還是FinFET立體晶體管技術，也就是説，後者3NM良率爬坡受阻，三星有望獲得更多反超的機會。

台積電多次修改藍圖，説明3NM的工藝難度確實比5NM要高不少，如果大規模量產延遲，蘋果、英特爾等廠商可能都會成為最大的輸家，畢竟台積電幾乎是它們唯一的代工廠，新工藝推遲就意味着很多產品的發佈會慢於對手。此外，3NM工藝的.最終效果也成為了最關注的一個方面。

當然了，台積電總裁自信滿滿稱3NM進度符合預期，可能説明良率爬坡只是“小插曲”，採用該工藝打造的新品還是能夠如期而至，相信明年我們還是能看到新芯片準時發佈。

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此前報道指，台積電（TSMC）將在2022年下半年量產N3製程節點，並計劃推出名為N3E的增強型3nm工藝，將擁有更好的性能和功耗表現，量產時間為2023年下半年。此外，還可能推出成本和設計有所差異的N3B等方案。在去年末，台積電已經在Fab 18中啟動了3nm芯片的試生產。

據DigiTimes報道，台積電的N3製程節點方案未能順利推進，已不斷進行修正，但良品率等整體效能的提升進度仍低於預期，甚至在某些部分出現困難，需要重新安排，導致蘋果等多家客户近期下單均以N5製程節點及其衍生的工藝為主，擴大了N4、N4P和N4X等工藝的使用。台積電N3製程節點專為智能手機和高性能計算（HPC）芯片而設計，在N5製程節點上進一步應用極紫外光刻（EUV）技術，光罩層數將超過20層。台積電承諾N3工藝相比N5工藝，性能可提高10%-15%，或者降低25%-30%的功耗。

台積電總裁魏哲家曾表示，N3製程節點仍使用FinFET晶體管的結構，是為客户提供最佳的技術成熟度、性能和成本。在台積電3nm工藝技術推出的時候，將成為業界最先進的PPA和晶體管技術，N3製程節點將成為台積電另一個大規模量產且持久的製程節點。早有傳聞指，英特爾和蘋果已率先獲得台積電N3製程節點的產能。前者計劃將該工藝使用在2023年發佈的Meteor Lake上，製造GPU模塊；後者則首先用在2023年新款iPad搭載的芯片上，目前在時間上也非常勉強。

台積電的3nm計劃推進緩慢，甚至催生備用方案，本是三星追趕的好時機。不過三星在7nm及以下工藝上的研發也一直不順利，使得5nm客户寥寥無幾，近期4nm工藝因效能問題也備受爭議。雖然三星在3nm製程節點引入了全新的GAAFET全環繞柵極晶體管工藝，並計劃在2022年上半年量產第一代3nm工藝，不過外界並不看好。畢竟台積電在N3製程節點只是沿用FinFET晶體管，目前也遭遇了不小的困難，三星想越級使用，只會難上加難。儘管三星報價優惠，估計廠商普遍也不敢冒險使用。三星已在3nm計劃裏投下巨資，如果不達預期，或許難以收回成本導致項目虧損。

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近日，關於台積電3nm工藝製程有了新消息，據外媒digitimes最新報道，半導體設備廠商透露，台積電3納米良率拉昇難度飆升，台積電因此多次修正3納米藍圖。

實際上，隨着晶體管數量的堆積，內部結構的複雜化，3nm工藝製程的良品率確實很難快速提升，達成比較好的量產水平。